| Size: 6128 Comment:  | Size: 5518 Comment:  | 
| Deletions are marked like this. | Additions are marked like this. | 
| Line 3: | Line 3: | 
| Zápočtová práce z předmětu CAD pro vf. techniku | Zápočtová práce z předmětu CAD pro vf. techniku. Vypracoval '''Radek Podgorný'''. | 
| Line 21: | Line 21: | 
| V našem případě pro '''f = 11.5 GHz''' je '''KR = 1.224867''' | |
| Line 35: | Line 33: | 
| ||12.1||1.257603|| ||12.2||1.251749|| ||12.3||1.245982|| ||12.4||1.240274|| ||12.5||1.234655|| ||12.6||1.229113|| ||12.7||1.223641|| ||12.8||1.218258|| ||12.9||1.212948|| ||13.0||1.207726|| | |
| Line 47: | Line 36: | 
| V našem případě pro '''f = 11.5 GHz''' je '''KR = 1.224867'''. Kritérium stability je tedy splňeno. | |
| Line 68: | Line 59: | 
| Pomocí HF Lines – Synthesis jsme určili šířku pásku w, vln. délku λg a efektivní permitivitu εeff. | Pomocí HF Lines – Synthesis jsme určili šířku pásku '''w''' a efektivní permitivitu '''εeff'''. | 
| Line 71: | Line 62: | 
| /!\ '''λg = 13.908 mm'''[[BR]] | |
| Line 73: | Line 63: | 
| Schéma zapojení pomocí mikropáskových vedení. attachment:mikro_schema.png | |
| Line 81: | Line 75: | 
| Schéma zapojení pomocí mikropáskových vedení. attachment:mikro_schema.png Vzhledem k rozměrům, které by výsledně mohly činit potíže při případné realizaci zesilovače, jsem vedení upravil o násobky půlvln. Po odečtení daných hodnot a následné optimalizaci vyšly hodnoty: '''Delka''''''Mi11 = 4,76 mm'''[[BR]] '''Delka''''''Mi12 = 1,18 mm'''[[BR]] '''Delka''''''Mi21 = 1,61 mm'''[[BR]] '''Delka''''''Mi22 = 5,59 mm''' | |
| Line 97: | Line 80: | 
| '''BW = 189 MHz'''[[BR]] '''BW% = 1,57 %''' | '''BW = 110 MHz''' | 
| Line 101: | Line 83: | 
| '''BW = 189 MHz''' | '''BW = 1.092 GHz''' | 
| Line 106: | Line 88: | 
| '''Z11.Re = 21,249'''[[BR]] '''Z11.Im = 22,718'''[[BR]] '''Z22.Re = 23,884'''[[BR]] '''Z22.Im = -13,223''' | '''Z11.Re = 18.856'''[[BR]] '''Z11.Im = 17.918'''[[BR]] '''Z22.Re = 23.938'''[[BR]] '''Z22.Im = -15.255''' | 
| Line 116: | Line 98: | 
| '''L1 = 26,51 pH'''[[BR]] '''C1 = 308,55 fF'''[[BR]] '''L2 = 506,61 pH'''[[BR]] '''C2 = 277,37 fF''' | '''C1 = 498.357 fF'''[[BR]] '''L1 = 2.70074 fH'''[[BR]] '''C2 = 479.770 fF'''[[BR]] '''L2 = 470.204 pH''' | 
| Line 122: | Line 104: | 
| '''BW =  MHz'''[[BR]] '''BW% = 0,75 %''' | '''BW = 249 MHz''' | 
| Line 131: | Line 112: | 
| a) Mikropáskové vedení: | ==== Mikropáskové vedení ==== | 
| Line 135: | Line 116: | 
| Pro výtěžnost alespoň 90% vychází tolerance jednotlivých délek následovně: '''ΔDelka''''''Mi11 = 2%'''[[BR]] '''ΔDelka''''''Mi12 = 2%'''[[BR]] '''ΔDelka''''''Mi21 = 1%'''[[BR]] '''ΔDelka''''''Mi22 = 1%''' | attachment:mikro_yield11.png | 
| Line 141: | Line 118: | 
| b) Diskrétní součástky | attachment:mikro_yield12.png attachment:mikro_yield21.png attachment:mikro_yield22.png Motiv mikropásku. attachment:mikro_motiv.png ==== Diskrétní součástky ==== | 
| Line 145: | Line 132: | 
| Pro výtěžnost alespoň 90% vychází tolerance jednotlivých délek následovně: | /!\ Pro výtěžnost alespoň 90% vychází tolerance jednotlivých délek následovně: | 
| Line 153: | Line 140: | 
| /!\ | 
Návrh úzkopásmového zesilovače
Zápočtová práce z předmětu CAD pro vf. techniku. Vypracoval Radek Podgorný.
Zadání
- Navrhněte jednostupňový tranzistorový zesilovač s tranzistorem ATF26884 na frekvenci 11.5 GHz. Vstupní a výstupní přizpůsobovací obvody proveďte: - s diskrétními součástkami
- pomocí úseků mikropáskového vedení
 
- zkontrolujte, zda je tranzistor na zadané frekvenci stabilní
- mikropásková vedení navrhněte na podložce o síle 0.8 mm, pokovené 20 μm silnou vrstvou mědi, relativní permitivita podložky je rovna 4, ztrátový činitel pak 0.01, při návrhu uvažujte vliv diskontinuit (otevřené konce, odbočení) na vedení
- porovnejte možné alternativy zapojení, určete šířku pásma pro pokles přenosu -3 dB a pásmo, v němž je přizpůsobení na vstupu a výstupu lepší než -20 dB
- určete toleranční pásma součástek (rozměrů vedení) tak, aby teoretická výtěžnost výroby byla alespoň 90%
Vypracování
Kontrola stability tranzistoru
Za stabilní tranzistor můžeme považovat ten, jehož Rolletův faktor KR je větší než 1.
| Freq [GHz] | Rollet K [-] | 
| 11.0 | 1.191771 | 
| 11.1 | 1.197935 | 
| 11.2 | 1.204323 | 
| 11.3 | 1.210947 | 
| 11.4 | 1.217798 | 
| 11.5 | 1.224867 | 
| 11.6 | 1.232162 | 
| 11.7 | 1.239682 | 
| 11.8 | 1.247413 | 
| 11.9 | 1.255363 | 
| 12.0 | 1.263529 | 
attachment:rollet.png
V našem případě pro f = 11.5 GHz je KR = 1.224867. Kritérium stability je tedy splňeno.
Ideální vedení
Nejdříve jsme přizpůsobili tranzistor pomocí ideálního vedení.
attachment:vedeni_schema.png
Jako podmínku optimalizace jsme zadali S11 < -40dB a S22 < -40dB.
Délky jednotlivých vedení potom vyšly:
Grafické znázornění s-parametrů pro přizpůsobení pomocí ideálního vedení.
attachment:vedeni_grafy.png
Mikropáskové vedení
Pomocí HF Lines – Synthesis jsme určili šířku pásku w a efektivní permitivitu εeff.
- w = 1.746 mmBR εeff. = 3.222 
Schéma zapojení pomocí mikropáskových vedení.
attachment:mikro_schema.png
Délky mikropáskového vedení jsme pak určili pomocí optimalizace S11 < -40dB a S22 < -40dB a pomocí režimu porovnání s grafem samotného tranzistoru s požadavky S11 = 0dB a S22 = 0dB. Alternativní způsob je použít délku ideálního vedení a zkrátit ji s ohledem na rychlost šíření vlny v mikropáskovém vedení.
Grafické znázornění s-parametrů pro přizpůsobení pomocí mikropáskového vedení.
attachment:mikro_grafy.png
Šířka pásma pro -20 dB (z grafu S11):
- BW = 110 MHz 
Šířka pásma pro pokles přenosu -3dB (z grafu S12):
- BW = 1.092 GHz 
Diskrétní součástky
Nejdříve jsme si zobrazili vstupní (Z11) a výstupní (Z22) impedanci nepřizpůsobeného zesilovače. Z grafu jsme odečetli:
Potom jsme pomocí podprogramu Smith Chart obvod přizpůsobili.
attachment:diskr_schema.png
Hodnoty součástek po následné optimalizaci vyšly:
Šířka pásma pro -20 dB (z grafu S11):
- BW = 249 MHz 
Grafické znázornění s-parametrů pro přizpůsobení pomocí diskrétních součástek.
attachment:diskr_grafy.png
Výtěžnost
Mikropáskové vedení
Zobrazení výtěžnosti pro 5000 pokusů (mikropáskové vedení).
attachment:mikro_yield11.png
attachment:mikro_yield12.png
attachment:mikro_yield21.png
attachment:mikro_yield22.png
Motiv mikropásku.
attachment:mikro_motiv.png
Diskrétní součástky
Zobrazení výtěžnosti pro 5000 pokusů (diskrétní součástky).
 Pro výtěžnost alespoň 90% vychází tolerance jednotlivých délek následovně:
 Pro výtěžnost alespoň 90% vychází tolerance jednotlivých délek následovně: 
Závěr
 
 
Při porovnání obvodu s diskrétními součástkami s obvodem s mikropásko-vým vedením, jsou parametry prvního obvodu o něco lepší. Nicméně vzhledem k velmi malým velikostem jednotlivých součástek L, C není možné tento obvod v praxi sestrojit, proto je zbytečné se jím dále zabývat.
Pro obvod s mikropáskovým vedením je šířka pásma pro přizpůsobení -20dB BW = 60MHz, resp. 0,4%. Jedná se tedy o velmi úzkopásmový zesilovač. Tolerance jednotlivých délek vedení pro výtěžnost alespoň 90% se pohybuje od 0,5 do 1%, což je ještě přijatelná hodnota. Jak jsem již uvedl výše, všechny délky vedení jsem zvětšil o půl vlnové délky, a to kvůli snazší realizaci. Při původních rozměrech, by mohl nastat problém při vytváření spojů jednak mezi vedením a tranzistorem, ale i mezi vedením a vstupním, resp. výstupním konektorem.